元器件采购网 > 2-697页 > FET - 阵列2N7002V-7

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2N7002V-7

SOT-563,SOT-666 Diodes Inc 114168
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2N7002V-7参数
产品类别:分离式半导体产品-FET - 阵列
说明:MOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT-563
包装数量:3000
包装形式:带卷 (TR)
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FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:280mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:7.5 欧姆 @ 50mA,5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:-
输入电容 (Ciss) @ Vds:50pF @ 25V
功率 - 最大:150mW
安装类型:表面贴装

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